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参数目录41166
> SI6466ADQ-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
型号:
SI6466ADQ-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SI6466ADQ-T1-E3 PDF
标准包装
3,000
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
14 毫欧 @ 8.1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.05W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装
8-TSSOP
包装
带卷 (TR)
查看SI6466ADQ-T1-E3代理商
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